IEDM 2022國(guó)際電子元件會(huì)議上，臺(tái)積電公布了一份野心勃勃的半導(dǎo)體制造工藝、封裝技術(shù)路線年。

　　眼下，臺(tái)積電正在推進(jìn)3nm級(jí)別的N3系列工藝，下一步就是在2025-2027年間鋪開2nm級(jí)別的N2系列，包括N2、N2P等，將在單顆芯片內(nèi)集成超過1000億個(gè)晶體管，單個(gè)封裝內(nèi)則能做到超過5000億個(gè)。

　　為此，臺(tái)積電將使用EUV極紫外光刻、新通道材料、金屬氧化物ESL、自對(duì)齊線彈性空間、低損傷低硬化低K銅材料填充等等一系列新材料、新技術(shù)，并結(jié)合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封裝技術(shù)。

　　再往后就是1.4nm級(jí)別的A14、1nm級(jí)別的A10——命名和Intel A20、A18如出一轍，但看起來更“先進(jìn)”。

　　1nm A10工藝節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電計(jì)劃在單顆芯片內(nèi)集成超過2000億個(gè)晶體管，單個(gè)封裝內(nèi)則超過1萬億個(gè)，相比N2工藝翻一倍。